Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
2015
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=88332 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Vplyv koncentrácie dusíka na kvalitu GaAsN štruktúr pre fotovoltické aplikácie
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín