Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
2015
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=88332 |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Vplyv koncentrácie dusíka na kvalitu GaAsN štruktúr pre fotovoltické aplikácie
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín