Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
2016
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131303 |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora
- Radiačná odolnosť polovodičových detektorov
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Polovodičové detektory ionizujúceho žiarenia
- Štúdium vlastností semiizolačného GaAs detektora rtg. žiarenia pre digitálnu rádiografiu
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Fabrication of GaAs Devices