Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Hayden, František (Autore)
Altri autori: Šagátová, Andrea (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: 2016
Soggetti:
Accesso online:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131303
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp48522
003 SK-STU
005 20160805091532.2
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Hayden, František  |u 036000  |k Z4  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva  |X 6088  |U E060  |Y 817  |7 A000006088 
242 0 1 |a Influence of High-energy Electrons on Properties of Semiconductor Detector  |y eng 
245 1 0 |a Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora 
260 |c 2016 
300 |a 60 s., príl. 
650 4 |a polovodičový detektor GaAs  |2 slo 
650 4 |a elektrónová radiačná odolnosť  |2 slo 
650 4 |a FWHM  |2 slo 
650 4 |a CCE  |2 slo 
650 4 |a detekčná účinnosť  |2 slo 
650 4 |a SI GaAs detector  |2 eng 
650 4 |a electron radiation hardness  |2 eng 
650 4 |a CCE  |2 eng 
650 4 |a FWHM  |2 eng 
650 4 |a detection efficiency  |2 eng 
700 1 |a Šagátová, Andrea  |u 036000  |k Z8  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva  |X 2564  |U E060  |Y 817  |7 2564 
856 4 |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131303 
996 |b 284EP11435  |c E*DIPL- 11435  |l EE36  |s P  |a 0  |w stuzp48522_0001 
SQL |a stuzp48522  |b DDP  |c SLO  |d Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora  |e 6088  |f Hayden, František  |g 036000  |h 2564  |i Šagátová, Andrea  |j 20160613  |k 1173  |l 03  |m http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131303  |n I-JFI  |o 5.2.48. fyzikálne inžinierstvo