Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=143732 |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp66996 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20190624102942.6 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Kopecký, Andrej |u 033000 |k Z4 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 72642 |U E030 |Y 549 |7 72642 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Investigation of Emission and Capture Processes in Structures Based on GaN by Deep Level Transient Spectroscopy |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín |
| 260 | |c 2019 | ||
| 300 | |a 38 s., |b CD-ROM | ||
| 650 | 4 | |a GaN |2 slo | |
| 650 | 4 | |a HEMT |2 slo | |
| 650 | 4 | |a hlboké energetické hladiny |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTFS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a SiC |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Arrheniova závislosť |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTS |2 eng | |
| 650 | 4 | |a SiC |2 eng | |
| 650 | 4 | |a deep energy levels |2 eng | |
| 650 | 4 | |a DLTFS |2 eng | |
| 650 | 4 | |a GaN |2 eng | |
| 650 | 4 | |a HEMT |2 eng | |
| 650 | 4 | |a Arrhenius plot |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Stuchlíková, Ľubica |u 033000 |k Z1 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 1997 |U E030 |Y 549 |7 A000001997 | |
| 856 | 4 | |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=143732 | |
| 996 | |b 284EP12164 |c E*DIPL- 12164 |l EE33 |s P |a 0 |w stuzp66996_0001 | ||