Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=2DE4D0DBB221E90D1189F9BEC259&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach na báze AlGaN/GaN