Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=2DE4D0DBB221E90D1189F9BEC259&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach na báze AlGaN/GaN