Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	Szabó, Emanuel (Auteur)
Autres auteurs:	Marek, Juraj (Directeur de thèse)
Format:	Manuscrit Livre
Langue:	slovaque
Publié:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2021
Sujets:	tranzistor MOSFET UIS test SiC Synopsys TCAD MOSFET transistor
Accès en ligne:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4BD9478A3A7038F60C223AAC8853&seo=CRZP-detail-kniha
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