Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2022
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC2DB109A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín