Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2022
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC2DB109A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín