Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN

Salvato in:
Autore principale: Matuš, Matej (Autore)
Altri autori: Stuchlíková, Ľubica (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2022
Soggetti:
GaN
InAlGaN/GaN HEMT
elektricky aktívne poruchy
DLTFS
MCTS
electrically active defects
Accesso online:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC2DB109A&seo=CRZP-detail-kniha
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp83331
003 SK-STU
005 20221121101103.9
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Matuš, Matej  |u 033000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 92528  |U E030  |Y 549  |7 92528 
242 0 1 |a Distribution of electrically active defects in modern semiconductor devices based on GaN  |y eng 
245 1 0 |a Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2022 
300 |a 65 s. 
650 4 |a GaN  |2 slo 
650 4 |a InAlGaN/GaN HEMT  |2 slo 
650 4 |a elektricky aktívne poruchy  |2 slo 
650 4 |a DLTFS  |2 slo 
650 4 |a MCTS  |2 slo 
650 4 |a GaN  |2 eng 
650 4 |a InAlGaN/GaN HEMT  |2 eng 
650 4 |a electrically active defects  |2 eng 
650 4 |a DLTFS  |2 eng 
650 4 |a MCTS  |2 eng 
700 1 |a Stuchlíková, Ľubica  |u 033000  |k Z1  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 1997  |U E030  |Y 549  |7 A000001997 
856 4 |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC2DB109A&seo=CRZP-detail-kniha 

Documenti analoghi