Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildG2NI4&sid=A5BC586C45F5195261E728AF963A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre 5G sieť
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN