Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN : dátum obhajoby 28.8.2025
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2025
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildGBSJP&sid=8DA48F56075EEA6F770E5E16AB9C&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN :
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN