Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN : dátum obhajoby 28.8.2025
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2025
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildGBSJP&sid=8DA48F56075EEA6F770E5E16AB9C&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN :
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN