Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN : dátum obhajoby 28.8.2025

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Matuš, Matej (Autore)
Altri autori:	Stuchlíková, Ľubica (Relatore della tesi)
Natura:	Manoscritto Libro
Lingua:	slovacco
Pubblicazione:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Soggetti:	GaN HEMT kvantová jama pasca elektrická charakterizácia DLTFS quantum well trap electrical characterisation
Accesso online:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildGBSJP&sid=8DA48F56075EEA6F770E5E16AB9C&seo=CRZP-detail-kniha
Tags:	Aggiungi Tag Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stuzp91485
003	SK-STU
005	20250910113441.1
007	ta
008	150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
044			\|a xo
100	1		\|a Matuš, Matej \|u 033000 \|k Z2 \|4 aut \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 92528 \|U E030 \|Y 549 \|7 92528
242	0	1	\|a Investigation of electrophysical properties of semiconductor progressive devices based on GaN \|y eng
245	1	0	\|a Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN : \|b dátum obhajoby 28.8.2025
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2025
300			\|a 132 s., \|b Autoref. 2025, 60 s.
650		4	\|a GaN \|2 slo
650		4	\|a HEMT \|2 slo
650		4	\|a kvantová jama \|2 slo
650		4	\|a pasca \|2 slo
650		4	\|a elektrická charakterizácia \|2 slo
650		4	\|a DLTFS \|2 slo
650		4	\|a DLTFS \|2 eng
650		4	\|a GaN \|2 eng
650		4	\|a HEMT \|2 eng
650		4	\|a quantum well \|2 eng
650		4	\|a trap \|2 eng
650		4	\|a electrical characterisation \|2 eng
700	1		\|a Stuchlíková, Ľubica \|u 033000 \|k Z1 \|4 ths \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 1997 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000001997
856	4		\|u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildGBSJP&sid=8DA48F56075EEA6F770E5E16AB9C&seo=CRZP-detail-kniha