Návrh optimálneho režimu tuhnutia taveniny pri výrobe kryštálov InP
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava
STU FCHPT
2006
|
| Acceso en línea: | Ver en el OPAC |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Návrh optimálneho režimu tuhnutia taveniny pri výrobe kryštálov InP
- Návrh teplotného režimu chladenia taveniny pri výrobe kryštálov
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
- Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
- Preladiteľné kryštálové oscilátory - VCXO
- Simulovanie rýchleho tuhnutia pri aplikácii lasera /
- Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /