Návrh optimálneho režimu tuhnutia taveniny pri výrobe kryštálov InP
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Format: | Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava
STU FCHPT
2006
|
| Accès en ligne: | Voir à l'OPAC |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Návrh optimálneho režimu tuhnutia taveniny pri výrobe kryštálov InP
- Návrh teplotného režimu chladenia taveniny pri výrobe kryštálov
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
- Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
- Preladiteľné kryštálové oscilátory - VCXO
- Simulovanie rýchleho tuhnutia pri aplikácii lasera /
- Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /