Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | , |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
- Mikroštruktúra nanokryštalických zliatin typu NANOPERM (Fe1-xCox)76Mo8Cu1B15 v závislosti od pomeru Fe:Co
- Low-power HF microelectronics a unified approach
- Nanometer CMOS
- Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
- Vlastnosti a užití CMOS obvodů
- Electronic Device Architectures Nano-CMOS Era : From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices