Elektrická charakterizácia MOS-HFET tranzistorov pripravených na základe GaN
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | VAIS |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Elektrická charakterizácia MOS-HFET tranzistorov pripravených na základe GaN
- Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach a prvkoch na báze GaN
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008