Elektrická charakterizácia MOS-HFET tranzistorov pripravených na základe GaN
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | VAIS |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Elektrická charakterizácia MOS-HFET tranzistorov pripravených na základe GaN
- Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach a prvkoch na báze GaN
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008