Príprava tenkých vrstiev Si3N4 plazmatickým, katódovým naprašovaním a analýza ich vlastností : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 20.02.1975 /
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Publicado: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
1973
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Príprava tenkých vrstiev Si3N4 plazmatickým, katódovým naprašovaním a analýza ich vlastností :
- Fyzikálne vlastnosti germániových tenkých vrstiev a rozbor podmienok ich prípravy impulzným katódovým naprašovaním : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.03.1969 /
- Rozbor vlastností tenkých kovových vrstiev z hľadiska ich použitia pre elektronické súčiastky a obvody : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 08.03.1979 /
- Príprava SiO2 vrstiev v mikrovlnnom kyslíkovom výboji a ich vlastnosti : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.01.1976 /
- Fyzikálne vlastnosti termoakceptorov n InSb : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 27.01.1970 /
- Nové metody měření difusních konstant vhodné pro použití v tenkých vrstvách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.12.1968 /
- Niektoré problémy prípravy InP epitaxiálnych vrstiev z kvapalnej fázy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 04.07.1979 /