Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2002
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi
- Skúmanie vlastností štruktúry MOS s nehomogénnym substrátom ožiarenej ťažkými vysokoenergetickýcmi iónmi
- Aktivácia konštrukčných materiálov urýchľovača vysokoenergetickými ťažkými iónmi
- Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
- Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúr MOS s implantovaným substrátom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 14.04.1992 /
- Vplyv ťažkých iónov Kr na vlastnosti štruktúry MOS so substrátom dotovaným dusíkom
- Štúdium vlastností rozhrania izolant-polovodič štruktúr MOS