Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2002
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi
- Skúmanie vlastností štruktúry MOS s nehomogénnym substrátom ožiarenej ťažkými vysokoenergetickýcmi iónmi
- Aktivácia konštrukčných materiálov urýchľovača vysokoenergetickými ťažkými iónmi
- Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
- Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúr MOS s implantovaným substrátom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 14.04.1992 /
- Vplyv ťažkých iónov Kr na vlastnosti štruktúry MOS so substrátom dotovaným dusíkom
- Štúdium vlastností rozhrania izolant-polovodič štruktúr MOS