Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005

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Autore principale: Bernát, Juraj (Autore)
Altri autori: Donoval, Daniel, 1953- (Relatore della tesi), Kordoš, Peter, 1939- (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:inglese
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2005
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