Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | , |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications :
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Svetlom podporované chemické leptane polovodičových štruktúr na báze AIGaN/GaN
- Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach na báze AlGaN/GaN
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN