Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13

Guardado en:
Autor principal: Blaho, Michal (Autor)
Otros Autores: Gregušová, Dagmar (Orientador)
Formato: Manuscrito Libro
Lenguaje:eslovaco
Publicado: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2016
Materias:
GaN
HEMT
invertor
MOS HEMT
obohacovací tranzistor
inverter
normally-off
Acceso en línea:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130616
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Descripción Física:134 s., AUTOREF. 2016, 34 s.

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