Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Blaho, Michal (Autore)
Altri autori: Gregušová, Dagmar (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2016
Soggetti:
Accesso online:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130616
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp55483
003 SK-STU
005 20230413093053.0
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Blaho, Michal  |u 033000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 36038  |U E030  |Y 549  |7 A000036038 
242 0 1 |a New technologies and their use in GaN HEMT transistors  |y eng 
245 1 0 |a Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch :  |b dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13 
260 |a Bratislava : 
260 |b STU v Bratislave FEI, 
260 |c 2016 
300 |a 134 s.,  |b AUTOREF. 2016, 34 s. 
650 4 |a GaN  |2 slo 
650 4 |a HEMT  |2 slo 
650 4 |a invertor  |2 slo 
650 4 |a MOS HEMT  |2 slo 
650 4 |a obohacovací tranzistor  |2 slo 
650 4 |a GaN  |2 eng 
650 4 |a HEMT  |2 eng 
650 4 |a MOS HEMT  |2 eng 
650 4 |a inverter  |2 eng 
650 4 |a normally-off  |2 eng 
700 1 |a Gregušová, Dagmar  |4 ths  |X 5381  |7 5381 
856 4 |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130616 
996 |b 284ED01564  |c E*ZP-427  |l EE01  |s A  |a 24  |w stuzp55483_0001