Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130616 |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch :
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN