Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2016
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130616 |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch :
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN