Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
2018
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137482 |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures