Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
2018
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137482 |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures