Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Drobný, Jakub (Autore)
Altri autori: Stuchlíková, Ľubica (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: 2018
Soggetti:
Accesso online:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137482
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp62573
003 SK-STU
005 20181010105016.4
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Drobný, Jakub  |u 033000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 72627  |U E030  |Y 549  |7 72627 
242 0 1 |a Electrical characterization of GaN based MOS-HEMT structures  |y eng 
245 1 0 |a Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN 
260 |c 2018 
300 |a 53 s.,  |b CD-ROM 
650 4 |a interface states  |2 eng 
650 4 |a DLTS  |2 eng 
650 4 |a GaN  |2 eng 
650 4 |a MOS-HEMT  |2 eng 
650 4 |a MOS-HEMT  |2 slo 
650 4 |a stavy rozhrania  |2 slo 
650 4 |a GaN  |2 slo 
650 4 |a DLTS  |2 slo 
700 1 |a Stuchlíková, Ľubica  |u 033000  |k Z1  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 1997  |U E030  |Y 549  |7 A000001997 
856 4 |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137482 
996 |b 284EP11852  |c E*DIPL- 11852  |l EE33  |s P  |a 0  |w stuzp62573_0001