Meranie a charakterizácia energetickej odolnosti moderných výkonových elektronických prvkov zaťažených UIS a SC testom : dátum obhajoby 25.8.2023

Salvato in:
Autore principale: Kozárik, Jozef (Autore)
Altri autori: Marek, Juraj (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2023
Soggetti:
GaN HEMT
SiC MOSFET
UIS test
SC test
degradácia
degradation
Accesso online:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildGQR6Q&sid=4B1C4D75B6D4960DFBA601FA792C&seo=CRZP-detail-kniha
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp66066
003 SK-STU
005 20231106141748.5
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Kozárik, Jozef  |u 033000  |k Z2  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 53383  |U E030  |Y 549  |7 53383 
242 0 1 |a Measurement and Characterisation of UIS and SC Capability of Modern Power Electronic Devices  |y eng 
245 1 0 |a Meranie a charakterizácia energetickej odolnosti moderných výkonových elektronických prvkov zaťažených UIS a SC testom :  |b dátum obhajoby 25.8.2023 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2023 
300 |a 117 s.,  |b Autoref. 2023, 54 s. 
500 |a Len v elektronickej podobe 
650 4 |a GaN HEMT  |2 slo 
650 4 |a SiC MOSFET  |2 slo 
650 4 |a UIS test  |2 slo 
650 4 |a SC test  |2 slo 
650 4 |a degradácia  |2 slo 
650 4 |a GaN HEMT  |2 eng 
650 4 |a SiC MOSFET  |2 eng 
650 4 |a UIS test  |2 eng 
650 4 |a SC test  |2 eng 
650 4 |a degradation  |2 eng 
700 1 |a Marek, Juraj  |u 033000  |k Z1  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 24483  |U E030  |Y 549  |7 A000024483 
856 4 |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildGQR6Q&sid=4B1C4D75B6D4960DFBA601FA792C&seo=CRZP-detail-kniha 

Documenti analoghi