Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=38F43C5054BC4F7F2BBAC0F31F28&seo=CRZP-detail-kniha |
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|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp82695 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20210817140441.8 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Špánik, Patrik Ján |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 98244 |U E030 |Y 549 |7 98244 | |
| 242 | 0 | 1 | |a GaN HEMT under SC-I conditions |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2021 | ||
| 300 | |a 53 s. | ||
| 650 | 4 | |a GaN HEMT |2 slo | |
| 650 | 4 | |a skrat |2 slo | |
| 650 | 4 | |a meranie |2 slo | |
| 650 | 4 | |a tranzistory |2 slo | |
| 650 | 4 | |a degradácia |2 slo | |
| 650 | 4 | |a short-circuit |2 eng | |
| 650 | 4 | |a measurement |2 eng | |
| 650 | 4 | |a degradation |2 eng | |
| 650 | 4 | |a transistors |2 eng | |
| 650 | 4 | |a GaN HEMT |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Marek, Juraj |u 033000 |k Z1 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 24483 |U E030 |Y 549 |7 A000024483 | |
| 856 | 4 | |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=38F43C5054BC4F7F2BBAC0F31F28&seo=CRZP-detail-kniha | |