Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=38F43C5054BC4F7F2BBAC0F31F28&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Meranie a charakterizácia energetickej odolnosti moderných výkonových elektronických prvkov zaťažených UIS a SC testom : dátum obhajoby 25.8.2023
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN