Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=38F43C5054BC4F7F2BBAC0F31F28&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Meranie a charakterizácia energetickej odolnosti moderných výkonových elektronických prvkov zaťažených UIS a SC testom : dátum obhajoby 25.8.2023
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN