Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC3DB109A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch
- Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre 5G sieť