Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC3DB109A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp85148 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20221013101156.3 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Činčurak, Darko |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 80565 |U E030 |Y 549 |7 80565 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Analysis of semiconductor structures based on SiC |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2022 | ||
| 300 | |a 59 s. | ||
| 650 | 4 | |a Arrhéniova závislosť |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTFS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a SiC |2 slo | |
| 650 | 4 | |a GaN |2 slo | |
| 650 | 4 | |a MOSFET |2 slo | |
| 650 | 4 | |a hlboké energetické hladiny, |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Deep Level Transient spectroscopy |2 eng | |
| 650 | 4 | |a MOSFET |2 eng | |
| 650 | 4 | |a SiC |2 eng | |
| 650 | 4 | |a defects |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Kósa, Arpád |u 033000 |k Z8 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 50249 |U E030 |Y 549 |7 A000050249 | |
| 856 | 4 | |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC3DB109A&seo=CRZP-detail-kniha | |