Mikroštrukturálna charakterizácia Ga2O3 vrstiev s ohľadom pre ich využitie ako širokopásmového polovodiča pre vývoj nových výkonových elektronických súčiastok
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildQIAI2&sid=B9F89BDF2FCAC708572C514B24F4&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp91337 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20241126112032.8 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Kubránska, Adela |u 036000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva |X 98109 |U E060 |Y 817 |7 98109 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Microstructure characterisation of Ga2O3 layers for new ultra-wide-bandgap semiconductor electronic devices |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Mikroštrukturálna charakterizácia Ga2O3 vrstiev s ohľadom pre ich využitie ako širokopásmového polovodiča pre vývoj nových výkonových elektronických súčiastok |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2023 | ||
| 300 | |a 75 s. | ||
| 650 | 4 | |a MOCVD |2 slo | |
| 650 | 4 | |a TEM |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Ga2O3 |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Transmisná elektrónová mikroskopia |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Ga2O3 |2 eng | |
| 650 | 4 | |a Transmission electron microscopy |2 eng | |
| 650 | 4 | |a MOCVD |2 eng | |
| 650 | 4 | |a TEM |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Ballo, Peter |u 036000 |k Z1 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva |X 2121 |U E060 |Y 817 |7 A000002121 | |
| 856 | 4 | |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildQIAI2&sid=B9F89BDF2FCAC708572C514B24F4&seo=CRZP-detail-kniha | |