Vplyv elektrického namáhania na distribúciu porúch v TrenchMOS na báze SiC
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildUA505&sid=4F9CB80EDA44B4B6680E3E797770&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp92749 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20250422130425.6 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Málik, Viktor |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 104335 |U E030 |Y 549 |7 104335 | |
| 242 | 0 | 1 | |a The impact of electrical stress on the distribution of defects in SiC-based TrenchMOS |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Vplyv elektrického namáhania na distribúciu porúch v TrenchMOS na báze SiC |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2024 | ||
| 300 | |a 61 s. | ||
| 650 | 4 | |a defekty |2 slo | |
| 650 | 4 | |a elektrické namáhanie |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a TrenchMOS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a SiC |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTS |2 eng | |
| 650 | 4 | |a TrenchMOS |2 eng | |
| 650 | 4 | |a SiC |2 eng | |
| 650 | 4 | |a electrical stress |2 eng | |
| 650 | 4 | |a defects |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Stuchlíková, Ľubica |u 033000 |k Z1 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 1997 |U E030 |Y 549 |7 A000001997 | |
| 856 | 4 | |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildUA505&sid=4F9CB80EDA44B4B6680E3E797770&seo=CRZP-detail-kniha | |