Vplyv elektrického namáhania na distribúciu porúch v TrenchMOS na báze SiC
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildUA505&sid=4F9CB80EDA44B4B6680E3E797770&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Vplyv elektrického namáhania na distribúciu porúch v TrenchMOS na báze SiC
- Skúmanie kvality progresívnych polovodičových prvkov pre výkonové aplikácie
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Skúmanie defektov v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch
- Simulation of Electrical Properties and Reliability of SiC Power Module
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach pre výkonovú elektroniku