Vplyv elektrického namáhania na distribúciu porúch v TrenchMOS na báze SiC
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2024
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildUA505&sid=4F9CB80EDA44B4B6680E3E797770&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Vplyv elektrického namáhania na distribúciu porúch v TrenchMOS na báze SiC
- Skúmanie kvality progresívnych polovodičových prvkov pre výkonové aplikácie
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Skúmanie defektov v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch
- Simulation of Electrical Properties and Reliability of SiC Power Module
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach pre výkonovú elektroniku