Analýza a optimalizácia vlastností MOS tranzistora namáhaného cyklickým výkonovým testom za podpory simulácií
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
2025
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184540 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Analýza a optimalizácia vlastností MOS tranzistora namáhaného cyklickým výkonovým testom za podpory simulácií
- Simulácia a modelovanie elektrických vlastností MOS tranzistora zabudovaného do DPS
- Návrh prostriedkov pre automatizované testovanie energetickej odolnosti výkonových tranzistorov
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou
- Rozvoj metód návrhu nízkopríkonových IO a získavania energie priamo na čipe : dát. obhaj. 28.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí