Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | , |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
- Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Izolačné vlastnosti a prieraz hradlového oxidu štruktúry MOS : Dát. obhaj. 25.02.2010, č. ved. odb. 26-13-9