Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Kmeť, Adam (Auteur)
Autres auteurs:	Harmatha, Ladislav, 1948- (Directeur de thèse), Kováč, Peter (Directeur de thèse)
Format:	Manuscrit Livre
Langue:	slovaque
Publié:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2007
Sujets:	Mikroelektronika MOS štruktúry elektrofyzikálne vlastnosti izolačné vrstvy
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu142713
005	20160719165031.6
008	070626s2007------------------------slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
100	1		\|a Kmeť, Adam \|4 aut
245	1		\|a Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2007
300			\|a 50 s
650		7	\|a Mikroelektronika \|2 stusub
650		7	\|a MOS štruktúry \|2 stusub
650		7	\|a elektrofyzikálne vlastnosti \|2 stusub
650		7	\|a izolačné vrstvy \|2 stusub
700	1		\|a Harmatha, Ladislav, \|d 1948- \|4 ths \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 2055 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000002055
700	1		\|a Kováč, Peter \|4 ths