Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2009
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN :
- Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
- Dielectric materials, measurements and applications : Seveth international conference. University of Bath, UK. 23.- 26. Sep. 1996
- Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Elektrický prieraz polyetylénovej vrstvovej izolácie v kvapalnom dusíku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-01-9 : Obh. 20.10.1983 /
- Výkonové tranzistory MOSFET