Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2009
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu199830 | ||
| 005 | 20150617230106.5 | ||
| 008 | 100217s2007----xo------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Čičo, Karol |4 aut | |
| 245 | 1 | |a Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : |b č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010 | |
| 260 | |a Bratislava : |b Elektrotechnický ústav SAV, |c 2009 | ||
| 300 | |a 107 s | ||
| 650 | 7 | |a MOS štruktúry |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a tenké vrstvy |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a meranie dielektrických veličín |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a tranzistory |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Kuzmík, Ján |4 ths | |
| 996 | |b 284ED01264 |c E*ZP-128 |l EE01 |s A |a 24 |w stu199830_0001 | ||