Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Čičo, Karol (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Kuzmík, Ján (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Sprache:	Slowakisch
Veröffentlicht:	Bratislava : Elektrotechnický ústav SAV, 2009
Schlagworte:	MOS štruktúry tenké vrstvy meranie dielektrických veličín tranzistory
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu199830
005	20150617230106.5
008	100217s2007----xo------------------slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
044			\|a xo
100	1		\|a Čičo, Karol \|4 aut
245	1		\|a Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : \|b č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
260			\|a Bratislava : \|b Elektrotechnický ústav SAV, \|c 2009
300			\|a 107 s
650		7	\|a MOS štruktúry \|2 stusub
650		7	\|a tenké vrstvy \|2 stusub
650		7	\|a meranie dielektrických veličín \|2 stusub
650		7	\|a tranzistory \|2 stusub
700	1		\|a Kuzmík, Ján \|4 ths
996			\|b 284ED01264 \|c E*ZP-128 \|l EE01 \|s A \|a 24 \|w stu199830_0001