Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
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| Autor principal: | |
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| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2009
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| Assuntos: | |
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| Descrição Física: | 107 s |
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