Hochdosisimplamtation von Stickstoff in Silizium: Eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte /
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf :
VDI Verlag,
1986
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| Tags: |
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