Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte : č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2002
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu98332 | ||
| 005 | 20170220114417.8 | ||
| 008 | 051124s2002------------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 100 | 1 | |a Peternai, Loránt, |d 1977- |4 aut |u E210 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Katedra mikroelektroniky |X 1892 |U E210 |Y 68 |7 A000001892 | |
| 245 | 1 | |a Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte : |b č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005 | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2002 | ||
| 300 | |a 105 s | ||
| 650 | 7 | |a elektronika |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Kováč, Jaroslav, |d 1947- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 2102 |U E030 |Y 549 |7 A000002102 | |
| 996 | |b 284ED01090 |c E*PGŠ-901 |l EE01 |s A |a 24 |w stu98332_0001 | ||