Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
2015
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=111662 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Využitie elektrochemických metód na štúdium nových materiálov pre pokročilé technológie a procesy
- Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním