Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=111662 |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Využitie elektrochemických metód na štúdium nových materiálov pre pokročilé technológie a procesy
- Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním