Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics : dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13

Guardado en:
Autor principal: Szobolovszký, Robert (Autor)
Otros Autores: Kováč, Jaroslav (Orientador)
Formato: Manuscrito Libro
Lenguaje:eslovaco
inglés
Publicado: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2019
Materias:
PiN diódy
SiC
Tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov v kanály
GaN
High electron mobility transistor
PiN diodes
Acceso en línea:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130790
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
Descripción Física:173 s., AUTOREF. 2019, 41 s.

Ejemplares similares