Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics : dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13

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Dettagli Bibliografici
Autore principale: Szobolovszký, Robert (Autore)
Altri autori: Kováč, Jaroslav (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
inglese
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2019
Soggetti:
Accesso online:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130790
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