Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics : dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak English |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2019
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130790 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics :
- Charakterizácia GaN bufferových vrstiev rastených na SiC pomocou MOCVD pri rôznych tlakoch
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Analýza štruktúry materiálov pomocou mikro-Ramamanovho mikroskopu
- Elektrická charakterizácia štruktúr na báze progresívnych polovodičových materiálov : dát. obhaj. 11.8.2015, č. ved. odb. 5-2-13