Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics : dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque anglais |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2019
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130790 |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics :
- Charakterizácia GaN bufferových vrstiev rastených na SiC pomocou MOCVD pri rôznych tlakoch
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Analýza štruktúry materiálov pomocou mikro-Ramamanovho mikroskopu
- Elektrická charakterizácia štruktúr na báze progresívnych polovodičových materiálov : dát. obhaj. 11.8.2015, č. ved. odb. 5-2-13