Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal: Pohorelec, Ondrej (Auteur)
Autres auteurs: Stuchlíková, Ľubica (Directeur de thèse)
Format: Manuscrit Livre
Langue:slovaque
anglais
Publié: 2018
Sujets:
Accès en ligne:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137499
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp62574
003 SK-STU
005 20181010104143.9
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a eng 
044 |a xo 
100 1 |a Pohorelec, Ondrej  |u 033000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 72651  |U E030  |Y 549  |7 72651 
242 0 1 |a Vplyv rozdielnej koncentrácie prímesí Si na distribúciu defektov v štruktúrach na báze GaN  |y slo 
245 1 0 |a Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures 
260 |c 2018 
300 |a 70 s.,  |b CD-ROM 
650 4 |a deep energy levels  |2 eng 
650 4 |a DLTS  |2 eng 
650 4 |a GaN:Si  |2 eng 
650 4 |a GaN  |2 eng 
650 4 |a DLTFS  |2 eng 
650 4 |a GaN:Si  |2 slo 
650 4 |a GaN  |2 slo 
650 4 |a hlboké energetické hladiny  |2 slo 
650 4 |a DLTFS  |2 slo 
650 4 |a DLTS  |2 slo 
700 1 |a Stuchlíková, Ľubica  |u 033000  |k Z1  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 1997  |U E030  |Y 549  |7 A000001997 
856 4 |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137499 
996 |b 284EP11851  |c E*DIPL- 11851  |l EE33  |s P  |a 0  |w stuzp62574_0001