Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak English |
| Published: |
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137499 |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín