Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
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| Autor principal: | |
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| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco inglês |
| Publicado em: |
2018
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137499 |
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