Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu

Enregistré dans:
Auteur principal: Forgáč, Martin (Auteur)
Autres auteurs: Marek, Juraj (Directeur de thèse)
Format: Manuscrit Livre
Langue:slovaque
Publié: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2021
Sujets:
karbid kremíka
stav skratu
SiC MOSFET
short-circuit
Silicon Carbide
Accès en ligne:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=7E417B54B864B7C45D2AFB4635AB&seo=CRZP-detail-kniha
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp81792
003 SK-STU
005 20211118124436.1
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Forgáč, Martin  |u 033000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 80568  |U E030  |Y 549  |7 80568 
242 0 1 |a Testing of power SiC MOSFET transistors in short circuit conditions  |y eng 
245 1 0 |a Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2021 
300 |a 74 s. 
650 4 |a karbid kremíka  |2 slo 
650 4 |a stav skratu  |2 slo 
650 4 |a SiC MOSFET  |2 slo 
650 4 |a short-circuit  |2 eng 
650 4 |a Silicon Carbide  |2 eng 
650 4 |a SiC MOSFET  |2 eng 
700 1 |a Marek, Juraj  |u 033000  |k Z1  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 24483  |U E030  |Y 549  |7 A000024483 
856 4 |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=7E417B54B864B7C45D2AFB4635AB&seo=CRZP-detail-kniha 

Documents similaires